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硒化镓晶體

簡要描述:GaSe硒化镓晶體(ti) 是一種暗棕色閃光的片狀晶體(ti) 。相對密度5.03,熔點(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體(ti) ,隨著溫度的降低,GaSe光電效應最大值向短波方向移動。硒化镓作為(wei) 一種非線性晶體(ti) 和光電導體(ti) ,通常被應用於(yu) 這些方麵:於(yu) CO2激光器的二次諧波的產(chan) 生,CO2激光器頻率上轉換至近紅外或可見光,中紅外波段的光學混頻,以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chan) 生。同時GaS

  • 產品型號:GaSe
  • 更新時間:2025-03-12
  • 訪  問  量:1194

產(chan) 品簡介

品牌其他品牌產地類別進口
應用領域電子/電池

詳細介紹

產(chan) 品簡介

       GaSe硒化镓晶體(ti) 是一種暗棕色閃光的片狀晶體(ti) 。相對密度5.03,熔點(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體(ti) ,隨著溫度的降低,GaSe光電效應最大值向短波方向移動。硒化镓作為(wei) 一種非線性晶體(ti) 和光電導體(ti) ,通常被應用於(yu) 這些方麵:於(yu) CO2激光器的二次諧波的產(chan) 生,CO2激光器頻率上轉換至近紅外或可見光,中紅外波段的光學混頻,以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chan) 生。同時GaSe晶體(ti) 也可以被用來產(chan) 生betway竞猜輻射。


  GaSe(硒化镓晶體(ti) )的betway竞猜振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe硒化鉀晶體(ti) 是負單軸層狀半導體(ti) 晶體(ti) ,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為(wei) 2.2eV。GaSe硒化鉀晶體(ti) 抗損傷(shang) 閾值高,非線性係數大(54pm/V),非常合適的透明範圍,以及超低的吸收係數,這使其成為(wei) 中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決(jue) 方案。因寬帶betway竞猜振蕩和探測使用的是低於(yu) 20飛秒的激光光源,GaSe發射-探測係統能獲得與(yu) ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe硒化鉀晶體(ti) 厚度的選取,我們(men) 可以實現對THz波的頻率可選擇性控製。

注:GaSe硒化鉀晶體(ti) 的解理麵為(wei) (001),因此對該晶體(ti) 使用的一個(ge) 很大限製在於(yu) 質軟,易碎。



GaSe 硒化鉀晶體參


Structure62m; a = 3.74 ; c = 15.89
Density5.03 g/cm3
Mohs hardness2
Eg, eV2.02
Refractive indices at 5.3 µmno = 2.8340; ne = 2.4599
Refractive indices at 10.6 µmno = 2.8136; ne = 2.4389
Refractive index at 0.633 µmno= 2.9365




GaSe 硒化鉀晶體(ti) 透射譜


GaSe硒化鉀晶體(ti) 產(chan) 品

Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)
Thickness/Length0.1-40 mm
OrientationX, Y, Z
Surface qualityCleaved


產(chan) 品谘詢

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